LTE与GSM间的干扰场景可以分为4种：LTE基站对GSM终端的干扰、GSM基站对LTE终端的干扰、LTE基站对GSM基站的干扰、GSM基站对LTE基站的干扰，如图1所示。

我们以2.6GHz频段的LTE系统与1800MHz的GSM系统（DCS1800系统）为例，介绍LTE与GSM系统的干扰分析。由于频段间隔较远，干扰将主要是杂散干扰，并且主要是基站与基站间的干扰问题。

由于LTE系统相对GSM系统是后部署系统，在LTE标準制定中考虑了LTE系统对GSM系统的共覆盖干扰情况，通过仿真发现LTE系统对GSM造成的杂散干扰满足系统要求。但是，在共站址情况下的干扰情况还需要分析，并且GSM系统由于部署较早，设备参数没有考虑与LTE系统的干扰，所以GSM系统对LTE系统有较大干扰。

20MHz的LTE系统基站底噪计算如下。

其中：BW为系统频宽；efficiency为频宽利用率，LTE系统取为90%；noisefigure为热噪声指数，一般LTE基站取为5，终端取为9。

如果按照干扰标準为底噪抬升0.6dB，则最大允许干扰功率为

M=−96.45(dBm/18MHz)−7dB=−103.45(dBm/18MHz)=−126(dBm/100kHz)

DCS1800系统带外杂散为−96dBm/100kHz，高于LTE系统允许的最大允许干扰功率。所以要GSM系统对LTE系统的干扰符合要求，需要额外的30dB隔离度。DCS1800基站对LTE基站的干扰需要额外的工程方法进行隔离。

DCS1800允许最大干扰功率为

2.6GHz的LTE系统带外杂散为−96dBm/100kHz。所以要LTE系统对GSM系统的干扰符合要求，需要额外的约20dB隔离度。

由于GSM是已经部署的系统，设备的射频性能已经确定，所以我们将通过工程方法来增加额外隔离度，消除干扰。共站址情况下，GSM基站对LTE基站的干扰需要额外的工程方法进行隔离。

通过上一节分析，如果共站址部署，DCS1800基站与LTE基站间需要採用工程隔离的方法增加额外隔离度。

将DCS1800基站对LTE基站的干扰代入水平隔离式，有

其中：G为LTE天线增益。在LTE天线与DCS天线同向布置时，LTE侧面对DCS侧面，假设LTE天线在90°方向增益为0.5dBi，则水平隔离距离为0.56m。

将LTE基站对DCS1800基站水平隔离需求代入式有

其中：G为DCS1800天线增益。在LTE天线与DCS1800天线同向布置时，DCS1800侧面对LTE侧面，假设DCS1800天线在90°方向增益为0.5dBi，则水平隔离距离为0.123m。

综上，LTE基站与DCS1800基站共站址部署时，如果天线保持同向布置，则两系统天线水平间距需要0.56m。

同样，可以得到两系统天线垂直间距需要0.24m。

在上面的分析中，只考虑了两系统天线同向部署的场景，如果天线夹角发生变化，工程隔离距离也将发生变化。在分析中採用了3GPP规範中基站设备共址时的杂散要求，实际设备的性能都要优于该指标，所以在实际中隔离需求将小于理论计算得到的数值。

LTE（LongTermEvolution，长期演进)，又称E-UTRA/E-UTRAN，和3GPP2UMB合称E3G（Evolved3G）

LTE是由3GPP（The3rdGenerationPartnershipProject，第三代合作伙伴计画）组织制定的UMTS（UniversalMobileTelecommunicationsSystem，通用移动通信系统）技术标準的长期演进，于2004年12月在3GPP多伦多TSGRAN#26会议上正式立项并启动。LTE系统引入了OFDM（OrthogonalFrequencyDivisionMultiplexing，正交频分复用）和MIMO（Multi-Input&Multi-Output，多输入多输出）等关键传输技术，显着增加了频谱效率和数据传输速率（20M频宽2X2MIMO在64QAM情况下，理论下行最大传输速率为201Mbps，除去信令开销后大概为140Mbps，但根据实际组网以及终端能力限制，一般认为下行峰值速率为100Mbps，上行为50Mbps），并支持多种频宽分配：1.4MHz，3MHz，5MHz，10MHz，15MHz和20MHz等，且支持全球主流2G/3G频段和一些新增频段，因而频谱分配更加灵活，系统容量和覆盖也显着提升。LTE系统网路架构更加扁平化简单化，减少了网路节点和系统複杂度，从而减小了系统时延，也降低了网路部署和维护成本。LTE系统支持与其他3GPP系统互操作。LTE系统有两种制式：FDD-LTE和TDD-LTE，即频分双工LTE系统和时分双工LTE系统，二者技术的主要区别在于空中接口的物理层上（像帧结构、时分设计、同步等）。FDD-LTE系统空口上下行传输採用一对对称的频段接收和传送数据，而TDD-LTE系统上下行则使用相同的频段在不同的时隙上传输，相对于FDD双工方式，TDD有着较高的频谱利用率。

LTE/EPC的网路架构如图2所示。

LTE採用由eNB构成的单层结构，这种结构有利于简化网路和减小延迟，实现低时延、低複杂度和低成本的要求。与3G接入网相比，LTE减少了RNC节点。名义上LTE是对3G的演进，但事实上它对3GPP的整个体系架构作了革命性的改变，逐步趋近于典型的IP宽频网路结构。

LTE的架构也叫E-UTRAN架构，如图3所示。E-UTRAN主要由eNB构成。同UTRAN网路相比，eNB不仅具有NodeB的功能，还能完成RNC的大部分功能，包括物理层、MAC层、RRC、调度、接入控制、承载控制、接入移动性管理和Inter-cellRRM等。eNodeB和eNodeB之间採用X2接口方式直接互连，eNB通过S1接口连线到EPC。具体地讲，eNB通过S1-MME连线到MME，通过S1-U连线到S-GW。S1接口支持MME/S-GW和eNB之间的多对多连线，即一个eNB可以和多个MME/S-GW连线，多个eNB也可以同时连线到同一个MME/S-GW。