EBIT 全称为Electron Beam Ion Trap,即电子束离子阱。电子束从电子枪中被引出后，被漂移管和电子枪之间的高电压差加速，与之同时，电子束被位于漂移管段的超导亥姆霍兹线圈产生的强磁场约束，电子束在漂移管段时半径达到最小。在漂移管中与低电荷态离子碰撞，使离子的电子不断被剥离，电荷态不断升高，直至平衡。通过选择电子束的能量和密度可以选择离子的电荷态。电子经过漂移管后被减速，最后被电子接收部件收集。
基本介绍
- 中文名：电子束离子阱
- 外文名：EBIT
- 全拼：Electron Beam Ion Trap
- 含义：集光源和离子源于一身的小型设备
词义
电子束离子阱(Electron Beam Ion Trap)，是一种集光源和离子源于一身的小型设备。
工作原理
低电荷态离子可以有两种方法注入到漂移管区域：一种是通过金属蒸汽真空电弧(MEVVA)或雷射离子源(LIS)产生离子后将离子引入到漂移管，再者是可以直接把气体原子通过漂移管观察窗输入到漂移管中央，与电子初步碰撞后就形成低电荷态离子。离子一旦形成，就受到三重约束：电子束的空间分布(30—70微米)对离子的径向约束，超导线圈磁场对离子的附加径向约束及漂移管两端静电场对离子的轴向约束。
阱区的高电荷态离子和电子发生着丰富的原子过程：电离，複合(辐射複合和双电子複合)，激发，退激，轫致辐射等。通过改变注入离子的种类以及电子束的能量和电流，可以产生各种波长的光子。理论上，EBIT可以产生从微波到硬x射线的所有光子，其覆盖範围非常宽广，因而EBIT是一种很好的光源。另外，可以把EBIT中产生的高电荷态离子从收集极中引出，从而可以研究高电荷态离子与材料表面的相互作用。从这方面来讲，EBIT同时又是一个很好的离子源。