魏志义，毕业于合肥工业大学，1991年4月博士毕业于中国科学院西安光学精密机械研究所，1993年5月至1997年3月期间，曾先后在英国卢瑟福实验室、香港中文大学物理系、香港科技大学物理系及荷兰格罗宁根大学化学系访问和工作。1997年5月调入中国科学院物理研究所，1999年晋升为研究员，2001年聘为博士生导师，2000年4月至2002年9月兼任日本电子综合技术研究所（ETL）NEDO研究员。现为中国科学院物理研究所学术及学位委员会委员，计量测试高技术联合实验室主任，课题组长。曾任光物理重点实验室副主任（常务）。
基本介绍
- 中文名：魏志义
- 出生日期：1963年5月
- 毕业院校：合肥工业大学
- 研究方向：碘稳频固体雷射的研究
研究方向
产生超强超短雷射脉冲的新原理与新技术研究，飞秒雷射相干控制及新型光学频率梳的研究，阿秒雷射物理与技术的研究，全固态超短脉冲雷射研究，碘稳频固体雷射的研究。
成就及荣誉
过去的主要工作及获得的成果：主要从事超短脉冲雷射相关的研究，近年来代表性的成果有：
1.首次提出并实现了不同固体飞秒雷射的被动同步技术，被Opt Lett杂誌审稿人评为“开拓了相干合成阿秒周期脉冲的途径”；2.测量并实现了被动同步飞秒雷射的载波包络相移（CEO）控制，被Opt Lett杂誌审稿人评为“This is a heroic experiment”；
魏志义研究员2
魏志义研究员23.採用系列新技术研製成功太瓦级的小型化超强超短脉冲雷射装置，获得中国科学院科技进步二等奖；
4.利用新的技术方案与国外同行打破了保持10年之久的超短雷射脉冲世界纪录，被Laser Focus World杂誌总结为雷射40年历史上具有里程碑意义的结果之一；
5.设计研製成功综合性能先进的系列飞秒雷射器件，并提供国内外多家用户使用。上述研究结果已在国内外重要杂誌上发表论文60余篇，被SCI论文引用300多次，获授权专利10余项，其中美国发明一项，中国发明四项。1998年获饶毓泰光学奖和物理所优秀科技青年奖，1997年及2000年先后获科学院科技进步二等奖，2001年获中国科学院青年科学家奖，2002年获国家杰出青年基金。