作 者：马长芳

出 版 社：科学出版社出版日期：2005-03

ISBN：703013438版 次：1

包 装：平装开 本：小16开

页 数：234页字 数：289千

印 张：1次

所属分类：图书 > 工业技术 > 电力电工 > 电工技术 > (分类细分与勘误)

本书是一本教学参考书和题解範例集。全书介绍了50种解题技巧与解题方法，并收集和整理了模拟电路典型例解300例。每种方法都附有一个甚至多个解题实例，解题过程详尽，方法多样，既适于检查、巩固基础知识，也适于锻鍊提高或考研参考。 本书可作为高等院校电类专业本科学生的学习辅导书，也可供考研者参考。

前言

a篇 模拟电路解题技巧50法

a.1 半导体器件基础

一法 识别稳压二极体同普通二极体的简单方法

二法 巧用两种稳压二极体获得多种基準电压

三法 判断双极型电晶体类型及管脚的常用方法

四法 複合管的构建与识别技术

五法 如何获得某静态工作点处的bjt小信号参数γbe、γce、δm和β?

六法 用简易测试法获得nmos场效应管的沟道参数kn和开启电压vtn

七法 获得二极体反向饱和电流is参数的简单方法

a.2 半导体电路分析基础

八法 二极体工作状态的判断方法

九法 三极体工作状态的判断方法

半导体三极体又称“晶体三极体”或“电晶体”。在半导体锗或硅的单晶上製备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。

十法 mos场效应管直流工作点的求解方法

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应电晶体，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

十一法 jfet电路直流工作点的求解方法

场效应电晶体（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型电晶体。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态範围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型电晶体和功率电晶体的强大竞争者。

十二法 直流负载线和交流负载线的快速作图法

十三法 善用戴维宁定理可使电路简化

十四法 电晶体放大电路输入电阻ri的计算方法

十五法 电晶体放大电路输出电阻ro的计算方法

十六法 电晶体放大电路放大倍数av的计算方法

十七法 fet放大电路输入电阻ri的计算方法

十八法 fet放大电路输出电阻ro的计算方法

十九法 fet放大电路电压放大倍数av的计算方法

二十法 用短路时常数法和分别求解法求放大电路的下限频率fl

二十一法 用开路时常数法求放大电路的上限频率fh

二十二法 共射极放大电路上限频率fh的求解方法

二十三法 串接放大器的分析方法

二十四法 多级放大器的分析方法

二十五法 差分放大器的计算方法

二十六法 差分放大器的半电路分析法

二十七法 反馈组态及其判别方法

二十八法 负反馈放大电路的近似分析法

二十九法 负反馈放大电路的方框图分析法

三十法 负反馈放大电路的小信号模型分析法

三十一法 集成运放的电路识图技术

三十二法 集成运放电路的分析计算方法

三十三法 功率放大器的分类与判别

三十四法 功率放大器的分析计算方法

三十五法 一种nmos电路的分析方法

三十六法 碰到疑难问题可用ewb机助仿真法进行分析

a.3 半导体电路设计基础

三十七法 电晶体放大电路的构建及故障排查技术