《抗辐射积体电路概论》共分10章，主要内容包括辐射环境、辐射效应、抗辐射双极积体电路设计、抗辐射mos积体电路设计、微处理器加固技术、存储器加固技术、fpga加固技术、模型参数、积体电路抗辐射性能评估。

《抗辐射积体电路概论》可作为高等学校电子科学与技术类专业选修教材，或从事相关研究的科技人员的参考书。

韩郑生，长期从事半导体工艺技术、积体电路设计研究工作。主要研究方向为可靠性SOI CMOS积体电路技术。研究内容包括SOI CMOS工艺技术开发、静态随机存储器（SRAM）电路设计、积体电路抗辐射性能研究。

第1章绪论

1.1抗辐射积体电路技术发展概况

1.2抗辐射积体电路技术的发展方向

1.2.1SOI技术

1.2.2抗辐射设计技术

1.2.3新材料、新结构

1.3本书的章节安排

第2章辐射环境

2.1空间环境

2.1.1内辐射带

2.1.2槽形辐射带

2.1.3外辐射带和準俘获区

2.1.4地磁尾区和低高度区

2.1.5银河宇宙射线

2.1.6太阳耀斑

2.2核爆炸辐射环境

2.2.1大气层外爆炸

2.2.2大气层内爆炸

2.3核动力辐射

第3章辐射效应

3.1总剂量辐射效应

3.2中子辐射效应

3.3瞬时辐射效应

3.4单粒子效应

3.4.1单粒子瞬变效应和单粒子翻转效应

3.4.2单粒子闩锁效应

3.4.3单粒子功能中断

3.4.4单粒子烧毁效应和单粒子栅穿效应

3.5剂量增强效应

3.6低剂量率效应

第4章抗辐射双极积体电路设计

4.1双极积体电路的製造工艺

4.2双极积体电路的电晶体

4.3双极积体电路的二极体

4.4积体电路中的无源元件

4.5双极电晶体的辐射效应

4.5.1中子辐射对双极电晶体特性的影响

4.5.2γ射线或X射线的瞬时辐射效应

4.6结构及工艺加固技术

4.6.1减薄基区宽度

4.6.2最佳化集电区参数

4.6.3最佳化金属化材料

4.6.4表面钝化技术

4.6.5预先增加基区複合

4.7电路设计加固技术

4.7.1中子注量加固

4.7.2对瞬时辐射加固技术

4.8双极数字电路

4.9双极模拟电路

4.9.1运算放大器

4.9.2比较器

4.9.3稳压电源

第5章抗辐射MOS积体电路设计

5.1MOS积体电路的基本製造工艺

5.2材料及工艺加固技术

5.2.1单晶硅材料

5.2.2外延层材料

5.2.3SOS和SOI材料

5.2.4SOICMOS电路特点

5.2.5SOICMOS工艺加固技术

5.3电路设计加固技术

5.3.1电路结构加固技术

5.3.2版图设计加固技术

第6章 微处理器加固技术

第7章 存储器加固技术

第8章 fpga加固技术

第9章 模型参数

第10章 积体电路抗辐射性能评估

辞彙表

参考文献