姓 名: 毕津顺

性 别: 男

职 务:

职 称: 副研究员

学 历: 博士

通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

所属部门：

硅器件与集成技术研发中心（一室）

1999年9月- 2003年7月 – 南开大学信息科学技术学院微电子系，获得理学学士学位。

2003年9月- 2008年6月 – 中国科学院微电子研究所，硕博连读，获得工学博士学位。

2008年6月- 2012年5月 – 中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室工作，历任助理研究员，副研究员，从事半导体器件和积体电路辐照效应和抗辐射加固技术研究以及产品开发。

2012年5月- 2013年8月 – 中国科学院公派至美国范德堡大学（Vanderbilt University）空间电子防御研究所进行访问学习，师从半导体辐照效应与加固技术领域国际权威IEEE FELLOW Dan Fleetwood和Ron Schrimpf教授。

2013年8月 – 至今 – 中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室工作，副研究员，继续从事半导体器件和积体电路辐照效应和抗辐射加固技术研究以及产品开发。

半导体器件和积体电路辐照效应和抗辐射加固技术

IEEE Member。中国科学院青年创新促进会成员。《半导体学报》、《电子学报》、《Science China》和《Radiation Effects and Defects in Solids》等期刊审稿人。国家自然科学基金项目评议人。 2013年北京地区微电子博士生论坛技术委员会委员。

2007年度中国科学院院长奖学金优秀奖。

1.Jinshun Bi, Zhengsheng Han, En Xia Zhang, Mike McCurdy, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, Michael L. Alles, Robert A. Weller, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini, “The Impact of X-Ray and Proton Irradiation on HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories”, IEEE Transactions on Nuclear Science,

2.Jordan D Greenlee, Joshua C. Shank, James L. Compagnoni, M. Brooks Tellekamp, Enxia Zhang, Jinshun Bi, Daniel M. Fleetwood, Michael L. Alles, Ronald D. Schrimpf, and W. Alan Doolittle, “Radiation effects on LiNbO2 memristor for neuromorphic computing applications”, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 60, Issue 6, 2013

3.毕津顺，海潮和，韩郑生，“深亚微米SOI射频 LDMOS功率特性研究”,物理学报

4.毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生，“22nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅电晶体单粒子瞬态效应研究”，物理学报

5.Jinshun Bi, Chuanbin Zeng, Linchun Gao, Duoli Li, Gang Liu, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, and D. Fleetwood, “Estimation of pulsed laser induced single event transient in a PDSOI 0.18μm single MOSFET”, The 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, 2012

6.Jinshun Bi, Zhengsheng Han, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, and D. M. Fleetwood, “Neutron-induced single-event-transient effects in ultrathin-body fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs”, IEEE International Reliability Physics Symposium, 2013

7.Jinshun Bi, Zhengsheng Han, En Xia Zhang, Mike McCurdy, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, Michael L. Alles, Robert A. Weller, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini, “Total-dose response of HfO2/Hf-based bipolar resistive memories”, IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC), 2013

8.Jordan D Greenlee, Joshua C. Shank, James L. Compagnoni, M. Brooks Tellekamp, Enxia Zhang, Jinshun Bi, Daniel M. Fleetwood, Michael L. Alles, Ronald D. Schrimpf, and W. Alan Doolittle, “Radiation effects on LiNbO2 memristor for neuromorphic computing applications”, IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC), 2013

9.William G. Bennett, Nicholas C. Hooten, Ronald D. Schrimpf, Jinshun Bi, Mike L. Alles, Robert A. Reed, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini, “Single event induced upsets in HfO2/Hf 1T1R RRAM”, Radiation Effects on Components and Systems(RADECS), 2013

10.Jinshun Bi, Jianhui Bo, and Zhengsheng Han, “Extraction method for thermal resistance in deep submicron PDSOI MOSFETs”, International Conference on Microelectronics and Nanotechnology, 2010

11.Jinshun Bi, and Chaohe Hai, “Off-state breakdown characteristics of PDSOI nMOSFETs”, Chinese Journals of Semiconductors

12.Jinshun Bi, and Chaohe Hai, “Study on the characteristics of SOI DTMOS with reverse schottky barriers”, Chinese Journals of Semiconductors

13. Jinshun Bi, Limei Song, Chaohe Hai, and Zhengsheng Han, “Back-gate effect of SOI LDMOSFETs”, Chinese Journals of Semiconductor

14.Jinshun Bi, Junfeng Wu, and Chaohe Hai, “Simulation of a double-gate dynamic threshold voltage fully depleted silicon-on-insulator nMOSFET”, Chinese Journals of Semiconductors

15.Jinshun Bi, and Chaohe Hai, “The PDSOI accumulation-mode dynamic threshold pMOS with reversed schottky barrier”, International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2007

16.Jinshun Bi, Gang Liu, Jianjun Luo , and Zhengsheng Han, “High reliable silicon-on-insulator CMOS technology aimed at lunar and deep space exploration”, 1st Beijing International Forum on Lunar and Deep-space Exploration, 2013

17.Bo Mei, Jinshun Bi, Duoli Li, Sinan Liu, and Zhengsheng Han, “Influence of back-gate stress on the back-gate threshold voltage of a LOCOS-isolated SOI MOSFET”, Chinese Journals of Semiconductors,

18.Wenbin Song, Jinshun Bi, and Zhengsheng Han, “A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations”, Chinese Journals of Semiconductors

19.Jianhui Bo, Jinshun Bi, Limei Song, and Zhengsheng Han, “Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs”, Chinese Journals of Semiconductors

20.Jianhui Bo, Jinshun Bi, Xianjun Ma, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, and Haogang Cai, “A compact model for the STI y-stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs”, International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2012

21.Jianhui Bo, Jinshun Bi, Linmao Xi, and Zhengsheng Han, “Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction”, Chinese Journals of Semiconductors, 2010

22.Jianhui Bo, Jinshun Bi, Mengxin Liu, and Zhengsheng Han, “A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS”, Chinese Journals of Semiconductors

23.毕津顺，海潮和，“抗辐照加固SOI SRAM研究”，第七届全国SOI技术研讨会，2007

24.毕津顺，曾传滨，刘刚，罗家俊，韩郑生，“面向深空探测耐低温抗辐射积体电路设计方法学研究”，中国宇航学会深空探测技术专业委员会第八届学术年会论文集，2011

25.毕津顺，海潮和，“PDSOI体源连线环形栅nMOS特性研究”，固体电子学研究与进展

26.毕津顺，海潮和，“0.8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究”，半导体技术

27.毕津顺，海潮和，韩郑生，“SOI动态阈值MOS研究进展”，电子器件

28.宋文斌，毕津顺，韩郑生，“新型部分耗尽SOI器件体接触结构”，半导体技术

29.毕津顺，韩郑生，海潮和，“SOI DTMOS温度特性研究”，半导体技术

30.毕津顺，韩郑生，海潮和，“130nm PDSOI DTMOS体延迟研究”，半导体技术

31.毕津顺，范紫菡，曾传滨，罗家俊，韩郑生，“PDSOI 单粒子翻转SPICE模型研究”，第十七届全国半导体积体电路，硅材料学术会议，2011

32.田建，毕津顺，罗家俊，韩郑生，“薄栅氧机理损伤研究”，第十七届全国半导体积体电路，硅材料学术会议，2011

33.卜建辉，毕津顺，吕荫学，罗家俊，韩郑生，“深亚微米PDSOI nMOSFETs 热载流子寿命研究”，第十七届全国半导体积体电路，硅材料学术会议，2011

34.曾传滨，毕津顺，姜一波，罗家俊，韩郑生，“PDSOI ESD防护用SCR结构研究”，第十七届全国半导体积体电路，硅材料学术会议，2011

35.卜建辉，毕津顺，刘梦新，罗家俊，韩郑生，“SOI器件总剂量辐射模型研究”，第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会，2011

36.贾少旭，毕津顺，曾传滨，韩郑生，“核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真”，核技术，2012，第10期

37.范雪梅，毕津顺，刘梦新，杜寰，“PD SOI MOSFET低频噪声研究进展”，微电子学

38.范子菡，毕津顺，罗家俊，“基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究”，微电子学与计算机，2011，第12期

39.贾少旭，毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生，“Geant4套用于半导体器件单粒子翻转效应的研究”，中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会论文集，2013

40.宿晓慧，毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生，“空间辐射单粒子瞬态脉冲宽度测量电路研究”中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会论文集

41.Bo Mei, Jinshun Bi, Jianhui Bo, and Zhengsheng Han, “Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs”, Chinese Journals of Semiconductors, 2013, 34(1):014004-6

42.Junfeng Wu, Duoli Li, Jinshun Bi, Lijun Xue, and Zhengsheng Han, “Influence of edge implant on subthreshold leakage current of H-Gate SOI pMOSFETs”, Chinese Journals of Semiconductors

43.Junfeng Wu, Xinghua Zhong, Duoli Li, Jinshun Bi, and Chaohe Hai, “Improved breakdown voltage of partially depleted SOI nMOSFETs with half-back-channel implantation”, Chinese Journals of Semiconductors

44.Mengxin Liu, Zhengsheng Han, Jinshun Bi, Xuemei Fan, Gang Liu, Huan Du, and Limei Song, “Total ionizing dose radiation effects of RF PDSOI LDMOS transistors”, Chinese Journals of Semiconductors

45.Mengxin Liu, Zhengsheng Han, Jinshun Bi, Xuemei Fan, Gang Liu, and Huan Du, “Effect of total ionizing dose radiation on the 0.25 μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide”, Chinese Journals of Semiconductors

46.Yiqi Wang, Mengxin Liu, Jinshun Bi, and Zhengsheng Han, “PDSOI DTMOS for analog and RF application”, Chinese Journals of Semiconductors

《现代电子系统软错误》，毕津顺，韩郑生，电子工业出版社，2014

1.国家自然基金面上项目：“面向空间套用深亚微米SOI 集成器件辐照损伤机理研究”, 项目起止时间2012年-2015年。

2.中国科学院国防科技创新项目，已结题。

3.中国科学院院长奖获得者科研启动专项：“深亚微米CMOS器件辐照损伤机制与理论模型研究”，已结题。

4.中国科学院微电子研究所所长基金项目：“深亚微米CMOS器件辐照损伤机制与理论模型研究”，已结题

1.国家自然基金面上项目：“SOI射频SOC的集成器件及工艺基础研究”，已结题，终评为优秀。

2.国家重点基础研究发展计画项目子课题（973）：“高性能低功耗新型纳米尺度CMOS器件研究”，已结题。

3.国家自然基金重点项目：“地面模拟空间辐射环境下的技术方法及单粒子效应研究”，项目起止时间2012年-2015年。

5.中国科学院微电子研究所所长基金项目：“0.5微米、0.8微米CMOS/SOI器件模型参数提参及单元库建立”，已结题。

6.国家极大规模积体电路重大专项研究计画项目：“SOI CMOS半导体特种器件的研发”。

7.中国科学院支撑装备预研项目，项目起止时间2011年-2015年。

1.专利名称：一种製备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法

发明人： 毕津顺，海潮和

2.专利名称：一种CMOS积体电路抗单粒子辐照加固电路

发明人： 毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊

3.专利名称：一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法

发明人： 毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊

4.专利名称：电晶体测试装置及方法

发明人： 毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊

5.专利名称：一种绝缘体上硅器件及其製备方法

发明人： 毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊

6.专利名称：静电放电保护用可控硅结构

发明人： 曾传滨 ，毕津顺，李多力，罗家俊，韩郑生

7.专利名称：一种製作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法

发明人： 宋文斌，毕津顺，韩郑生

8.专利名称：具有H型栅的射频SOI LDMOS器件

发明人： 刘梦新，毕津顺，范雪梅，赵超荣，韩郑生，刘刚

9.专利名称：具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件

发明人： 刘梦新，毕津顺，范雪梅，赵超荣，韩郑生，刘刚

10.专利名称：基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法

发明人： 刘梦新，陈蕾，毕津顺，刘刚，韩郑生