LDO 是一种线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的电晶体或场效应管（FET），从套用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率电晶体（也称为传递设备）作为 PNP。这种电晶体允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 複合电源电晶体的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。

更新的发展使用 MOS 功率电晶体，它能够提供最低的压降电压。使用 功率MOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。

DC-DC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DC-DC转换器，包括LDO。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DC-DC。

LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA（TI的TPS78001达到Iq=0.5uA），电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP电晶体。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面，採用PNP电晶体的电路中，为了防止PNP电晶体进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。

如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的套用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最后有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。

如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，因为从上面的原理可以知道，LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。

DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随着集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。

近几年来，随着半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制晶片的成本不断降低，体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用晶片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的套用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。

总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。

LDO是一种微功耗的低压差线性稳压器，它通常具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)。
LDO是新一代的积体电路稳压器，它与三端稳压器最大的不同点在于，LDO是一个自耗很低的微型片上系统（SoC）。它可用于电流主通道控制，晶片上集成了具有极低线上导通电阻的MOSFET，肖特基二极体、取样电阻和分压电阻等硬体电路，并具有过流保护、过温保护、精密基準源、差分放大器、延迟器等功能。PG是新一代LDO，具各输出状态自检、延迟安全供电功能，也可称之为Power Good，即“电源好或电源稳定”。

LDO低压差线性稳压器的结构主要包括启动电路、恆流源偏置单元、使能电路、调整元件、基準源、误差放大器、反馈电阻网路和保护电路等。基本工作原理是这样的：系统加电，如果使能脚处于高电平时，电路开始启动，恆流源电路给整个电路提供偏置，基準源电压快速建立，输出随着输入不断上升，当输出即将达到规定值时，由反馈网路得到的输出反馈电压也接近于基準电压值，此时误差放大器将输出反馈电压和基準电压之间的误差小信号进行放大，再经调整管放大到输出，从而形成负反馈，保证了输出电压稳定在规定值上，同理如果输入电压变化或输出电流变化，这个闭环迴路将使输出电压保持不变，即：Vout=(R1+R2)/R2 ×Vref
实际的低压差线性稳压器还具有如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等其它的功能。

如右图所示，该电路由串联调整管VT、取样电阻R1和R2、比较放大器A组成。

取样电压加在放大器A的反相输入端，与加在同相输入端的基準电压Uref相比较，两者的差值经放大器A放大后，控制串联调整管的压降，从而稳定输出电压。当输出电压Uout降低时，基準电压与取样电压的差值增加，比较放大器输出的驱动电流增加，串联调整管压降减小，从而使输出电压升高。相反，若输出电压Uout超过所需要的设定值，比较放大器输出的前驱动电流减小，从而使输出电压降低。供电过程中，输出电压校正连续进行，调整时间只受比较放大器和输出电晶体迴路反应速度的限制。

应当说明，实际的线性稳压器还应当具有许多其它的功能，比如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等，而且串联调整管也可以採用MOSFET。

TOREX,SII,ROHM,RICOH,Diodes,Prisemi，Ame,TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild,Micrel,Natlinear,MPS,AATI，ACE,ADI,ST等；

压差Dropout、噪音Noise、电源抑制比（PSRR）、静态电流Iq，这是LDO的四大关键数据。

产品设计师按产品负载对电性能的要求结合四大要素来选择LDO。

在手机上用的LDO要求儘可能小的噪音（纹波），在没有RF的携带型产品需求静态电流小的LDO。

Vin >= Vdrop + Vout。

且一般需要两个外接电容：Cin、Cout，一般採用钽电容或MLCC。

注意：LDO是稳压器。

LDO的套用非常简单，很多LDO仅需在输入端及输出端各接一颗电容即可稳定工作。在LDO的套用中需要考虑压差、静态电流、PSRR等重要参数。在以电池作为电源的系统中，应当选择压差儘量低的LDO，这样可以使电池更长时间为系统供电，比如NCP600，NCP629等等。

静态电流Iq是Iquiescent的缩写，指晶片自身所消耗的电流。在一些低功耗套用中，应当儘量选择Iq小的LDO。一些工程师在设计低功耗系统时，仅考虑MCU本身消耗的电流，而忽略电源晶片上所消耗的电流，使整个系统的待机功耗不能达标，曾经见过有的工程师在低功耗系统中选用78L05为MCU提供电源，查阅数据手册可以得知78L05静态电流为1mA，不适合低功耗套用，应该选择NCP583等等。

在射频、音频、ADC转换等套用系统中，PSRR（电源纹波抑制比）是一个很重要的参数，其体现了LDO的抗噪能力，PSRR值越高LDO输出纹波越低。下面列出了LDO的一些重要特性及套用方向。

不同电压输出级别的套用领域

LDO特性及套用方向

300 mA的LDO稳压器降压稳压器电路

降压稳压器的高开关频率允许使用纤巧多层外部元件，并最大限度地减少了电路板空间。当MODE引脚设定为高，降压稳压器工作在强制PWM模式。当MODE引脚置低，降压稳压器工作在PWM模式下，当负载是围绕面值。当负载电流低于预定的阈值时，稳压器工作在省电模式（PSM提高轻负载效率）。