利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基準电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极体基準电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。ADR421具有出色的噪声性能、稳定性和精度，非常适合光纤网路和医疗设备等精密转换套用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%範围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR421分为两种电气等级，额定温度範围为−40°C至+125°C扩展工业温度範围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。

低噪声（0.1 Hz至10 Hz） ADR420: 1.75 μV峰峰值 ADR421: 1.75 μV 峰峰值 ADR423: 2.0 μV 峰峰

值 ADR425: 3.4 μV 峰峰值

低温度係数：3 ppm/°C

长期稳定性：50 ppm/1000小时

负载调整率：70 ppm/mA

电压调整率：35 ppm/V

低迟滞：40 ppm（典型值）

宽工作电压範围 ADR420: 4 V至18 V ADR421: 4.5 V 至18 V ADR423: 5 V 至 18 V ADR425: 7 V

至18 V

静态电流：0.5 mA（最大值）

高输出电流：10 mA

宽温度範围：−40°C至+125°C

精密数据採集系统

高解析度转换器

电池供电仪器仪表

携带型医疗仪器

工业过程控制系统

精密仪器

光纤网路控制电路