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双稳态开关

(2020-06-02 07:41:03) 百科综合
双稳态开关

双稳态开关

双稳态电路一般有一个输出端和两个输入端(“+”、“-”端各一个),当输入端的“+”端有触发信号时,输出端不管原来是什幺状态,都会立即变为高电平,且一直稳定地输出高电平。如果当输入端的“-”端有触发信号时,输出端不管原来是什幺状态,都会立即变为低电平,且一直稳定地输出低电平。这就是双稳态电路。

基本介绍

  • 中文名:双稳态开关
  • 外文名:Bistable switch
  • 两端:输入端、输出端
  • 作用:一直稳定地输出低电平

组成

由两个或非门组成,有两个输入端和两个输出端
RSRS

定义

双稳态电路一般有一个输出端和两个输入端(“+”、“-”端各一个),当输入端的“+”端有触发信号时,输出端不管原来是什幺状态,都会立即变为高电平,且一直稳定地输出高电平。如果当输入端的“-”端有触发信号时,输出端不管原来是什幺状态,都会立即变为低电平,且一直稳定地输出低电平。这就是双稳态电路。
通俗的说,就是有A和B两个状态位置,你把它拨到A它就一直处于A位置,你把它拨到B它就一直处于B位置,这就是双稳。
此开关有两稳定的状态,无触发时是不变的(不动作),当接收到触发信号时变为另一状态,再次接收到触发信号时变为原来一状态,如此反覆。

工作原理

图一为双稳态电路,它是由两级反相器组成的正反馈电路,有两个稳定状态,或者是BG1导通、BG2截止;或者是BG1截止、BG2导通,由于它具有记忆功能,所以广泛地用于计数电路、分频电路和控制电路中。
原理,图2(a)中,设触发器的初始状态为BG1导通,BG2截止,当触发脉冲方波从1端输入,经CpRp微分后,在A点产生正、负方向的尖脉冲,而只有正尖脉冲能通过二极体D1作用于导通管BG1的基极。ic1减小使BG1退出饱和并进入放大状态,于是它的集电极电位降低,经电阻分压器送到截止管BG2的基极,使BG2的基极电位下降,如果下降幅度足够时,BG2将由截止进入放大状态,因而产生下列正反馈过程(看下列反馈过程时,应注意:在图一的PNP电路中,电晶体的基极和集电极电位均为负值,所以uc1↓,表示BG1集电极电位降低,而uc1↑则表示BG1集电极电位升高,当BG1基极电位降低时,则ic1↑,反之当BG1基极电位升高时,ic1↓,ic1越来越小,ic2越来越大,最后到达BG1截止、BG2导通;接差触发脉冲方波从2端输入,并在t=t2时,有正尖脉冲作用于导通管BG2的基极,又经过正反馈过程,使BG1导通,BG2截止。以后,在1、2端的触发脉冲的轮流作用下,双稳电路的状态也作用相应的翻转,如图一(b)所示。
双稳态开关
图一、双稳态电路
由上述过程可见:(1)双稳态电路的尖顶触发脉冲极性由电晶体的管型决定:PNP管要求正极性脉冲触发,而NPN管却要求负极性脉冲触发。(2)每触发一次,电路翻转一次,因此,从翻转次数的多少,就可以计算输入脉冲的个数,这就是双稳态电路能够计算的原理。
双稳态电路的触发电路形式有:单边触发、基极触发、集电极触发和控制触发等。
图二给出几种实用的双稳态电路。电路(a)中D3、D4为限幅二极体,使输出幅度限制在-6伏左右;电路(b)中的D5、D6是削去负尖脉冲;电路(C)中的ui1、ui2为单触发,ui为输入触发表一是上述电路的技术指标。
双稳态开关
图二、几种实用的双稳态电路
表一
几种双稳态触发器的技术指标
图二
(a)
(b)
(c)
(d)
管型
二极体
2AP3
2AP15
2AK1C
2AK17
三极体
3AX31B
3AG40
3AK20
3DK3B
信号电平
“0”(无信号)(V)
0
0
0
+6
“1”(有信号)(V)
-6
-6
-9
0
工作频率(KHz)
10
600
1000
8000
抗干扰电压(V)
≥1
≥1.5
≥2
0.8-1
触发灵敏度(V)
≤4
≤4.8
≤7
2.5
输出端的吸收能力(mA)
≤4
≤6.7
≤2
10
输出端的发射能力(mA)
≤44
≤12
≤12
7
输出脉冲的上升时间(μs)
2
≤0.30
≤0.1
≤0.1
输出脉冲的下降时间(μs)
2
≤0.36
≤0.15
≤0.1
对β值的要求
>50
50-80
60-90
>50
元件参数的允许化
△β<10,±5%
△β<10,±5%
△β<10,±5%
△β<10,±5%
电源电压的波动範围
±5%
±5%
±5%
±5%
工作温度範围(℃)
0-40
-10-55
-20-50
-10-55

双稳态电路的设计

双稳态开关
图三、双稳态的设计电路
双稳态设计电路见表二
表二
双稳态电路的设计公式及计算实例
要求
输出幅度Um=6V;上升时间,tr≤100nS;最高工作频率fmax=1MHz
选择CrRr:RrCr≤1/2fmax,通常Cr为几十pF;现选Cr=51pF ∴Rr≤1/6×1051×10=3.2k 故选Rr=2.4k
计算Rc:
Rc<Ec/ED tr/CL CL为集电极对地的电容(包括加速电容、分布电容、后级输入电容);
现设CL=180pF Rc<12/6 100×10/180×10=1.1kΩ
选择加速电容CK:
对合金管CK为几百pF对高频外延管CK为几十pF;现选Ck=51pF 计算结果标在图三中
计算Rk:
为保证可靠截止,应满足: Uces-[(EB+Uces)/(RK+RB)]RKRK]-[(EB+Ubes)/RB]}>[(Ec-Uces)/Rc]+IL 式中:Uces为饱和电压,对硅管Uces≈(0.3~0.4)V Ubeo为截止管临界电压,Ubeo≈0.2V Uco为截止管的集电极电压,应取:Uco=ED+(箝位管正向压降)IL为双稳电路灌入负截电流
计算RB:
现选Uces=0.4V,Ubeo=0.2V 0.4-[(12+0.4)/(Rk+RB)]Rk<0.2 ∴RBRK]-[(12+0.7)/RB]>[(12-0.4)/1]+10 ∴RB>12.7RK/(5.7-0.43RK (B) 若选RK=6.8k由(A)算得RB31K,故选RB=39K
选择电源电压
图3为设计电路,故应确定ED、EC、EB;∵採用箝位电路,故选ED≈Um ∴ED=6V,Ec=2ED=12v,Eb=-12
选择电晶体
若工作频率高时,应选用高速硅开关管若工作频率低可选用低频硅或锗管;现选3DK,β=50 二极体选用2CK10

双稳态电路套用

双稳态开关
双稳态开关
工业用的双稳态开关的参数就比较多。

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