相移掩模（Phase Shift Mask, PSM）是同时利用光线的强度和相位来成像，得到更高解析度的一种解析度增强技术。

相移掩模种类很多，其改善光刻分辨力的机理和能力也有差异，但其基本原理主要是在掩模图形的相邻透光区引入180°（或其奇数倍）的位相差或再辅之以透过率变化（衰减PSM），以改变相邻图形衍射光束之间的干涉状态；通过相邻透光区光场的相消干涉，减小光场分布中暗区的光强、增大亮区的光场,以提高对比度、改善分辨力；或者用相邻图形的位相梯度，产生光场方向反转和零场区,以提高图形陡度、对比度和分辨力。由于亮区光场分布变陡，从而也改善了曝光量宽容度。PSM与传统掩模板（Traditional Mask，TM）对比如图1所示。

图1 (a) TM和(b) PSM之比较

随着移相掩模技术的发展，涌现出众多的种类，大体上可分为交替型移相掩模（Levenson PSM/Alternating PSM ）、衰减式∕不透明移相掩模（Attenuated PSM/ halftone PSM）、边缘增强型移相掩模（Rim PSM）、亚解析度移相掩模（Sub Resolution PSM）、自对準移相掩模（Self-alignment PSM）、无铬∕全透明移相掩模（Chrome-less PSM /All-transparent PSM）及複合移相方式（交替移相+全透明移相+衰减移相+二元铬掩模）等同时还有强移相掩模和弱移相掩模之分，其中无铬∕全透明移相掩模和交替式移相掩模为强移相掩模，其他为弱移相掩模。尤其以交替型、衰减式和全透明移相掩模对解析度改善最显着，为实现亚波长光刻创造了有利条件。